消息称三星电子 HBM4 良率已接近 80%，产能爬坡加速

三星电子今年 2 月初步量产 HBM4 时其良率仅有 60% 左右，这限制了三星电子在 HBM4 上的投片量。更好的良率提升了三星电子向 HBM4 分配产能的积极性。

内存中嵌入逻辑单元：三星电子有望在 8 月发布 LPDDR5X-PIM

LPDDR5X-PIM 在 DRAM Die 内部集成有计算单元，可缩短逻辑与存储的距离，化解传统方案在逻辑端和存储端间频繁传输数据带来的“内存墙”瓶颈问题。

三星电子与博通 5 年 2000 亿美元合作将围绕 HBM、2nm 及以下先进制程等展开

该项合作范围预计还将扩展至基于三星 2nm 的 2.3D / 2.5D 先进封装技术，以提升人工智能和网络芯片的性能与能效。

进一步增强逻辑性能：三星电子计划在 HBM5 内存导入 2nm 基础裸片

HBM5 的运行速率预计将较 HBM4E 提升 50% 以上，其基础裸片将支持更高密度的硅通孔 (TSV) 以满足行业需求。

三星电子会长李在镕与 OpenAI CEO 奥尔特曼会面，商讨 AI 半导体合作方案

双方在旧金山会面，重点讨论 HBM、DRAM 等半导体产品合作及三星 AI 转型战略。自去年 10 月战略合作以来，双方致力于扩大先进存储芯片生产与建设下一代 AI 基础设施。#AI芯···

有消息称三星晶圆代工决定承接 Anthropic 自研 AI 芯片制造订单

外媒 The Information 曾表示，Anthropic 已启动自研芯片的早期开发工作，计划应用三星晶圆代工的 2nm 先进制程与先进封装产能。