消息称三星电子 HBM4 良率已接近 80%，产能爬坡加速

8 月 10 日消息，韩媒《首尔经济日报》当地时间 9 日援引消息人士的话报道称，三星电子在 HBM4 内存上的良率已接近 80%，即将达成原定 2026 年底实现的目标；更高的良率也加速了其 HBM4 产能爬坡进程。

业内消息源称，三星电子今年 2 月初步量产 HBM4 时其良率仅有 60% 左右，远不能达到 DRAM 行业大规模商业化所需水平，这限制了三星电子在 HBM4 上的投片量。

而随着良率的持续增长，该企业已确保能在 HBM4 上收获丰厚的回报，自然愿意将更多 DRAM 晶圆产能分配到 HBM4 上来。

有消息称，三星电子计划将本季度的 HBM4 销售额扩大到上季度的 3 倍以上，最终将其在下半年整体 HBM 中的营收占比扩展到 60+%，并在年底前获得与整体 DRAM 市场份额相当的 HBM 市占。