消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

zNAND-T 的 T 代表 Throughput（吞吐量），类似 HBF 概念；zNAND-I 的 I 则是象征随机性能的 IOPS 的简写，强调少量数据频繁读写操作中的表现。

美光探索近 GPU NAND 闪存，可支撑更大规模 AI 模型

美光正在研发一种高耐久性 NAND 闪存模块，可直接部署在 GPU 封装内或 PCB 上，充当高速缓冲层。该方案旨在大幅提升 AI 模型推理能力，有望突破显存容量限制。#AI芯片# #美···