消息称台积电版特斯拉 AI5 芯片采用 3nm 工艺制程
三星晶圆代工 2nm 基于 GAA 晶体管,而台积电 3nm 则使用 FinFET 架构,这意味着两版本 AI5 在芯片设计物理实现层面将存在不小差异。
7 月 24 日消息,Tesla(特斯拉)在驱动其未来电动汽车和人形机器人的 AI 系列上采用了双源化供应策略,比如 AI6 基于三星晶圆代工 2nm 工艺而 AI6.5 则采用台积电 2nm。
特斯拉的 AI5 世代芯片同样包含三星晶圆代工和台积电版本,但此前的消息主要围绕的还是三星晶圆代工版本。三星晶圆代工版 AI5 已完成流片,据信基于 2nm 工艺制程。

而台媒《工商时报》近日表示,台积电版 AI5 则基于 3nm 节点,特斯拉在这款产品上的设计合作伙伴是创意电子 (GUC)。该芯片的流片进度要较三星晶圆代工版本早上一个季度。
注意到,三星晶圆代工 2nm 基于 GAA 晶体管,而台积电 3nm 则使用 FinFET 架构,这意味着两版本 AI5 在芯片设计物理实现层面将存在不小差异。三星晶圆代工势必会为其版本的 AI5 支付更高制造成本。
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